Substratos lisos de cerámica de SiN

Breve descrición:

Os substratos lisos de cerámica SiN de Semicera ofrecen un rendemento térmico e mecánico excepcional para aplicacións de alta demanda. Deseñados para unha durabilidade e fiabilidade superiores, estes substratos son ideais para dispositivos electrónicos avanzados. Escolla Semicera para obter solucións de cerámica SiN de alta calidade adaptadas ás súas necesidades.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Os substratos lisos de cerámica SiN de Semicera proporcionan unha solución de alto rendemento para unha variedade de aplicacións electrónicas e industriais. Coñecidos pola súa excelente condutividade térmica e resistencia mecánica, estes substratos garanten un funcionamento fiable en ambientes esixentes.

As nosas cerámicas SiN (nitruro de silicio) están deseñadas para soportar temperaturas extremas e condicións de alto estrés, polo que son adecuadas para dispositivos electrónicos de alta potencia e dispositivos semicondutores avanzados. A súa durabilidade e resistencia ao choque térmico fan que sexan ideais para o seu uso en aplicacións nas que a fiabilidade e o rendemento son fundamentais.

Os procesos de fabricación de precisión de Semicera garanten que cada substrato liso cumpra rigorosos estándares de calidade. Isto dá como resultado substratos cun grosor e calidade superficial consistentes, que son esenciais para conseguir un rendemento óptimo en conxuntos e sistemas electrónicos.

Ademais das súas vantaxes térmicas e mecánicas, os substratos lisos de cerámica SiN ofrecen excelentes propiedades de illamento eléctrico. Isto garante unha interferencia eléctrica mínima e contribúe á estabilidade e eficiencia xeral dos compoñentes electrónicos, mellorando a súa vida útil.

Ao seleccionar os substratos lisos de cerámica SiN de Semicera, estás escollendo un produto que combina a ciencia avanzada dos materiais cunha fabricación de primeiro nivel. O noso compromiso coa calidade e a innovación garante que recibe substratos que cumpren os máis altos estándares da industria e apoian o éxito dos seus proxectos de tecnoloxía avanzada.

Elementos

Produción

Investigación

Maniquí

Parámetros de cristal

Politipo

4H

Erro de orientación da superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

Dopante

Nitróxeno tipo n

Resistividade

0,015-0,025 ohmios·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350 ± 25 μm

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Lonxitude plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piso secundario

Ningún

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Proa

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Deformación

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10 átomos/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calidade frontal

Fronte

Si

Acabado superficial

CMP Si-face

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm)

NA

Raiaduras

≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro

Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro

NA

Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación

Ningún

NA

Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales

Ningún

Áreas politípicas

Ningún

Área acumulada ≤ 20%

Área acumulada ≤ 30%

Marcado frontal con láser

Ningún

Calidade traseira

Acabado traseiro

C-face CMP

Raiaduras

≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías)

Ningún

Rugosidade nas costas

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcado láser traseiro

1 mm (desde o borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaxe

Embalaxe

Epi-ready con envasado ao baleiro

Embalaxe de casetes multiwafer

*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD.

tech_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Seguinte: