O SOI Wafer (Silicon On Insulator) de Semicera está deseñado para ofrecer un illamento eléctrico e un rendemento térmico superiores. Esta innovadora estrutura de obleas, que presenta unha capa de silicio sobre unha capa illante, garante un rendemento mellorado do dispositivo e un reducido consumo de enerxía, polo que é ideal para unha variedade de aplicacións de alta tecnoloxía.
As nosas obleas SOI ofrecen vantaxes excepcionais para os circuítos integrados ao minimizar a capacidade parasitaria e mellorar a velocidade e a eficiencia do dispositivo. Isto é crucial para a electrónica moderna, onde o alto rendemento e a eficiencia enerxética son esenciais tanto para as aplicacións de consumo como para as industrias.
Semicera emprega técnicas de fabricación avanzadas para producir obleas SOI cunha calidade e fiabilidade constantes. Estas obleas proporcionan un excelente illamento térmico, polo que son aptas para o seu uso en ambientes onde a disipación de calor é un problema, como en dispositivos electrónicos de alta densidade e sistemas de xestión de enerxía.
O uso de obleas SOI na fabricación de semicondutores permite o desenvolvemento de chips máis pequenos, rápidos e fiables. O compromiso de Semicera coa enxeñaría de precisión garante que as nosas obleas SOI cumpran os altos estándares necesarios para as tecnoloxías de punta en campos como as telecomunicacións, a automoción e a electrónica de consumo.
Elixir o SOI Wafer de Semicera significa investir nun produto que admita o avance das tecnoloxías electrónicas e microelectrónicas. As nosas obleas están deseñadas para ofrecer un rendemento e unha durabilidade mellorados, contribuíndo ao éxito dos teus proxectos de alta tecnoloxía e garantindo que te quedes á vangarda da innovación.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||





