SOI Wafer Silicon On Illante

Breve descrición:

O SOI Wafer (Silicon On Insulator) de Semicera proporciona un illamento eléctrico e un rendemento excepcionais para aplicacións avanzadas de semicondutores. Deseñadas para unha eficiencia térmica e eléctrica superior, estas obleas son ideais para circuítos integrados de alto rendemento. Escolla Semicera para obter calidade e fiabilidade na tecnoloxía de obleas SOI.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

O SOI Wafer (Silicon On Insulator) de Semicera está deseñado para ofrecer un illamento eléctrico e un rendemento térmico superiores. Esta innovadora estrutura de obleas, que presenta unha capa de silicio sobre unha capa illante, garante un rendemento mellorado do dispositivo e un reducido consumo de enerxía, polo que é ideal para unha variedade de aplicacións de alta tecnoloxía.

As nosas obleas SOI ofrecen vantaxes excepcionais para os circuítos integrados ao minimizar a capacidade parasitaria e mellorar a velocidade e a eficiencia do dispositivo. Isto é crucial para a electrónica moderna, onde o alto rendemento e a eficiencia enerxética son esenciais tanto para as aplicacións de consumo como para as industrias.

Semicera emprega técnicas de fabricación avanzadas para producir obleas SOI cunha calidade e fiabilidade constantes. Estas obleas proporcionan un excelente illamento térmico, polo que son aptas para o seu uso en ambientes onde a disipación de calor é un problema, como en dispositivos electrónicos de alta densidade e sistemas de xestión de enerxía.

O uso de obleas SOI na fabricación de semicondutores permite o desenvolvemento de chips máis pequenos, rápidos e fiables. O compromiso de Semicera coa enxeñaría de precisión garante que as nosas obleas SOI cumpran os altos estándares necesarios para as tecnoloxías de punta en campos como as telecomunicacións, a automoción e a electrónica de consumo.

Elixir o SOI Wafer de Semicera significa investir nun produto que admita o avance das tecnoloxías electrónicas e microelectrónicas. As nosas obleas están deseñadas para ofrecer un rendemento e unha durabilidade mellorados, contribuíndo ao éxito dos teus proxectos de alta tecnoloxía e garantindo que te quedes á vangarda da innovación.

Elementos

Produción

Investigación

Maniquí

Parámetros de cristal

Politipo

4H

Erro de orientación da superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

Dopante

Nitróxeno tipo n

Resistividade

0,015-0,025 ohmios·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350 ± 25 μm

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Lonxitude plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piso secundario

Ningún

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Proa

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Deformación

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10 átomos/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calidade frontal

Fronte

Si

Acabado superficial

CMP Si-face

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm)

NA

Raiaduras

≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro

Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro

NA

Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación

Ningún

NA

Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales

Ningún

Áreas politípicas

Ningún

Área acumulada ≤ 20%

Área acumulada ≤ 30%

Marcado frontal con láser

Ningún

Calidade traseira

Acabado traseiro

C-face CMP

Raiaduras

≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías)

Ningún

Rugosidade nas costas

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcado láser traseiro

1 mm (desde o borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaxe

Embalaxe

Epi-ready con envasado ao baleiro

Embalaxe de casetes multiwafer

*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD.

tech_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Seguinte: