Os aneis CVD de carburo de silicio (SiC) ofrecidos por Semicera son compoñentes clave no gravado de semicondutores, unha etapa vital na fabricación de dispositivos semicondutores. A composición destes aneis de carburo de silicio CVD (SiC) garante unha estrutura resistente e duradeira que pode soportar as duras condicións do proceso de gravado. A deposición química de vapor axuda a formar unha capa de SiC de alta pureza, uniforme e densa, o que dá aos aneis unha excelente resistencia mecánica, estabilidade térmica e resistencia á corrosión.
Como elemento clave na fabricación de semicondutores, os aneis de carburo de silicio CVD (SiC) actúan como unha barreira protectora para protexer a integridade dos chips de semicondutores. O seu deseño preciso garante un gravado uniforme e controlado, o que axuda na fabricación de dispositivos semicondutores altamente complexos, proporcionando un rendemento e fiabilidade mellorados.
O uso de material CVD SiC na construción dos aneis demostra un compromiso coa calidade e o rendemento na fabricación de semicondutores. Este material ten propiedades únicas, incluíndo alta condutividade térmica, excelente inercia química e resistencia ao desgaste e á corrosión, facendo que os aneis de carburo de silicio CVD (SiC) sexan un compoñente indispensable na procura da precisión e eficiencia nos procesos de gravado de semicondutores.
O anel de carburo de silicio (SiC) CVD de Semicera representa unha solución avanzada no campo da fabricación de semicondutores, utilizando as propiedades únicas do carburo de silicio depositado en vapor químico para lograr procesos de gravado fiables e de alto rendemento, promovendo o avance continuo da tecnoloxía de semicondutores. Comprometémonos a ofrecer aos clientes produtos excelentes e soporte técnico profesional para satisfacer a demanda da industria de semicondutores de solucións de gravado eficientes e de alta calidade.
✓Máxima calidade no mercado chinés
✓Bo servizo sempre para ti, 7*24 horas
✓Data de entrega curta
✓ Pequeno MOQ benvido e aceptado
✓Servizos personalizados
Susceptor de crecemento da epitaxia
As obleas de silicio/carburo de silicio deben pasar por múltiples procesos para ser utilizadas en dispositivos electrónicos. Un proceso importante é a epitaxia de silicio/sic, no que as obleas de silicio/sic son levadas sobre unha base de grafito. As vantaxes especiais da base de grafito revestida de carburo de silicio de Semicera inclúen unha pureza extremadamente alta, un revestimento uniforme e unha vida útil extremadamente longa. Tamén teñen unha alta resistencia química e estabilidade térmica.
Produción de chips LED
Durante o revestimento extensivo do reactor MOCVD, a base planetaria ou portador move a oblea do substrato. O rendemento do material base ten unha gran influencia na calidade do revestimento, que á súa vez afecta a taxa de chatarra do chip. A base recuberta de carburo de silicio de Semicera aumenta a eficiencia de fabricación de obleas LED de alta calidade e minimiza a desviación da lonxitude de onda. Tamén fornecemos compoñentes adicionais de grafito para todos os reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos recubrir case calquera compoñente cun revestimento de carburo de silicio, aínda que o diámetro do compoñente sexa de ata 1,5 M, aínda podemos recubrir con carburo de silicio.
Campo de semicondutores, proceso de difusión de oxidación, Etc.
No proceso de semicondutores, o proceso de expansión da oxidación require unha alta pureza do produto, e en Semicera ofrecemos servizos de revestimento personalizado e CVD para a maioría das pezas de carburo de silicio.
A seguinte imaxe mostra a suspensión de carburo de silicio procesada en bruto de Semicea e o tubo do forno de carburo de silicio que se limpa no 1000-nivelsen pocuarto. Os nosos traballadores están a traballar antes do revestimento. A pureza do noso carburo de silicio pode alcanzar o 99,99% e a pureza do revestimento sic é superior ao 99,99995%..
Paleta de carburo de silicio bruto e tubo de proceso SiC en limpeza
Barco de obleas de carburo de silicio CVD revestido de SiC
