A nosa empresa ofreceRevestimento de SiCServizos de procesamento na superficie de grafito, cerámica e outros materiais mediante o método CVD, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio poidan reaccionar a altas temperaturas para obter moléculas Sic de alta pureza, que poden depositarse na superficie dos materiais revestidos para formar unCapa protectora de SiCpara epitaxia tipo barril hipnótico.
Principais características:
1 .Grafito revestido de SiC de alta pureza
2. Resistencia á calor superior e uniformidade térmica
3. BenRevestimento de cristal SiCpara unha superficie lisa
4. Alta durabilidade fronte á limpeza química
Especificacións principais deRevestimento CVD-SIC
| Propiedades SiC-CVD | ||
| Estrutura cristalina | Fase β de FCC | |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño de gran | μm | 2~10 |
| Pureza Química | % | 99,99995 |
| Capacidade calorífica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Forza felexural | MPa (RT de 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (cobra de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
-
Barril de reactor epitaxial revestido de SiC
-
Medias pezas para equipos epitaxiais de SiC
-
Semicondutor de silicio monocristalino revestido de SiC...
-
Calentador de grafito recubierto de SiC de larga duración para MOCVD...
-
Soportes de revestimento de SiC para gravado de semicondutores
-
Sistema Epi de reactor de barril de recubrimento de SiC