Descrición
A nosa empresa ofrece servizos de proceso de revestimento de SiC mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando capa protectora SIC.
Características principais
1. Resistencia á oxidación a alta temperatura: a resistencia á oxidación aínda é moi boa cando a temperatura é tan alta como 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia á corrosión: ácido, álcali, sal e reactivos orgánicos.
Especificacións principais do revestimento CVD-SIC
| Propiedades SiC-CVD | ||
| Estrutura cristalina | Fase β de FCC | |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño do gran | μm | 2~10 |
| Pureza Química | % | 99,99995 |
| Capacidade calorífica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Forza felexural | MPa (RT de 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (cobra de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
-
Zona quente de calefactor de grafito/campo quente de grafito, ca...
-
Bandexas de pin SiC para procesos de grabado ICP no...
-
Medias pezas para equipos epitaxiais de SiC
-
Reactor revestido de carburo Reactor barril
-
Barril de grafito revestido de SiC para o crecemento epitaxial
-
Reactor epitaxial de semiconductor revestido de SiC para...