Epitaxia GaN a base de silicio

Imaxe destacada de epitaxia GaN baseada en silicio

Descrición curta:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. é un provedor líder de cerámicas de semicondutores avanzadas e o único fabricante en China que pode proporcionar simultaneamente cerámica de carburo de silicio de alta pureza (especialmente oRecristalizado SiC) e revestimento CVD SiC.Ademais, a nosa empresa tamén aposta por campos cerámicos como a alúmina, nitruro de aluminio, circonio, nitruro de silicio, etc.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Descrición do produto

A nosa empresa ofreceRevestimento de SiCservizos de proceso mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionan a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formandoCapa protectora SIC.

Principais características:

1. Resistencia á oxidación a alta temperatura:

a resistencia á oxidación aínda é moi boa cando a temperatura é tan alta como 1600 C.

2. Alta pureza: feita por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.

3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

4. Resistencia á corrosión: ácido, álcali, sal e reactivos orgánicos.

Especificacións principais do revestimento CVD-SIC

Propiedades SiC-CVD
Estrutura cristalina	Fase β de FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño do gran	μm	2~10
Pureza Química	%	99,99995
Capacidade calorífica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Forza felexural	MPa (RT de 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (cobra de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300