Placa portadora RTA de carburo de silicio para semicondutores

Descrición curta:

O carburo de silicio é un novo tipo de cerámica con altos custos e excelentes propiedades do material.Debido a características como a alta resistencia e dureza, resistencia a altas temperaturas, gran condutividade térmica e resistencia á corrosión química, o carburo de silicio pode soportar case todos os medios químicos.Polo tanto, o SiC úsase amplamente na minería de petróleo, na química, na maquinaria e no espazo aéreo, incluso a enerxía nuclear e os militares teñen as súas demandas especiais sobre o SIC.Algunhas aplicacións normais que podemos ofrecer son aneis de selado para bomba, válvula e armadura protectora, etc.

Somos capaces de proxectar e fabricar de acordo coas súas dimensións específicas con boa calidade e prazo de entrega razoable.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Descrición

A nosa empresa ofrece servizos de proceso de revestimento de SiC mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando capa protectora SIC.

Características principais

1. Resistencia á oxidación a alta temperatura:
a resistencia á oxidación aínda é moi boa cando a temperatura é tan alta como 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia á corrosión: ácido, álcali, sal e reactivos orgánicos.

Especificacións principais do revestimento CVD-SIC

Propiedades SiC-CVD

Estrutura cristalina Fase β de FCC
Densidade g/cm³ 3.21
Dureza Dureza Vickers 2500
Tamaño do gran μm 2~10
Pureza Química % 99,99995
Capacidade calorífica J·kg-1 ·K-1 640
Temperatura de sublimación 2700
Forza felexural MPa (RT de 4 puntos) 415
Módulo de Young Gpa (cobra de 4 puntos, 1300 ℃) 430
Expansión térmica (CTE) 10-6K-1 4.5
Condutividade térmica (W/mK) 300
Lugar de traballo Semicera
Lugar de traballo semicera 2
Máquina de equipamento
Procesamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
O noso servizo

  • Anterior:
  • Seguinte: