Susceptores de base de grafito revestidos de SiC para MOCVD

Susceptores de base de grafito revestidos de SiCpara MOCVD de semiceras están deseñados para proporcionar un rendemento excepcional nos procesos de crecemento epitaxial. O revestimento de carburo de silicio de alta calidade na base de grafito garante a estabilidade, a durabilidade e a condutividade térmica óptima durante as operacións de MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Ao usar a innovadora tecnoloxía de susceptores de semicera, pode conseguir unha maior precisión e eficienciaSi epitaxiaeEpitaxia SiCaplicacións.

EstesSusceptores MOCVDestán deseñados para soportar unha serie de compoñentes esenciais de semicondutores, comoPortador de grabado PSS, Portador de grabado ICP, ePortador RTP, facéndoos versátiles para diversas tarefas de gravado e epitaxia. O compromiso de Semicera con altos estándares garante que estes susceptores cumpran as esixencias rigorosas da produción moderna de semicondutores.

Ideal para usar enLED EpitaxialProcesos de susceptor, susceptor de barril e silicio monocristalino, estes susceptores pódense personalizar para diferentes tamaños de obleas, incluíndo configuracións de susceptor de panqueca. Tamén son moi eficaces no manexo de pezas fotovoltaicas, polo que son un compoñente crucial no desenvolvemento de células solares eficientes.

Ademais, os susceptores de base de grafito revestido de SiC para MOCVD están optimizados para GaN na epitaxia de SiC, ofrecendo unha alta compatibilidade con materiais semicondutores avanzados. Tanto se estás centrado en mellorar os rendementos como en mellorar a calidade do crecemento epitaxial, os susceptores de semicera proporcionan a fiabilidade e o rendemento necesarios para o éxito nas industrias de alta tecnoloxía.