Susceptor de grafito con revestimento de carburo de silicio

O revestimento CVD-SiC ten as características de estrutura uniforme, material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia á oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos e álcalis e reactivo orgánico, con propiedades físicas e químicas estables.
En comparación cos materiais de grafito de alta pureza, o grafito comeza a oxidarse a 400 °C, o que provocará unha perda de po debido á oxidación, o que provocará contaminación ambiental para dispositivos periféricos e cámaras de baleiro e aumentará as impurezas do ambiente de alta pureza.
Non obstante, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graos, é amplamente utilizado na industria moderna, especialmente na industria de semicondutores.