Descrición
Portadores de obleasconRevestimento de carburo de silicio (SiC).de semicera están deseñados por expertos para un crecemento epitaxial de alto rendemento, garantindo resultados óptimosSi epitaxiaeEpitaxia SiCaplicacións. Os soportes de enxeñería de precisión de Semicera están construídos para soportar condicións extremas, polo que son compoñentes esenciais dos sistemas MOCVD Susceptor para industrias que requiren alta precisión e durabilidade.
Estes soportes de obleas son versátiles e admiten procesos críticos con equipos comoPortador de grabado PSS, Portador de grabado ICP, ePortador RTP. O seu revestimento de SiC robusto mellora o rendemento para aplicacións comoLED EpitaxialSusceptor e silicio monocristalino, que garanten resultados consistentes incluso en ambientes esixentes.
Dispoñibles en múltiples configuracións, como Barrel Susceptor e Pancake Susceptor, estes portadores xogan un papel vital na fabricación de fotovoltaicos e semicondutores, apoiando a produción de pezas fotovoltaicas e facilitando GaN nos procesos de epitaxia SiC. Co seu deseño superior, estes transportistas son un activo clave para os fabricantes que buscan unha produción de alta eficiencia.
Características principais
1 .Grafito revestido de SiC de alta pureza
2. Resistencia á calor superior e uniformidade térmica
3. BenRevestimento de cristal SiCpara unha superficie lisa
4. Alta durabilidade fronte á limpeza química
Especificacións principais dos revestimentos CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densidade | (g/cc) | 3.21 |
Resistencia á flexión | (Mpa) | 470 |
Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Embalaxe e envío
Capacidade de subministración:
10000 unidades/unidades por mes
Embalaxe e entrega:
Embalaxe: embalaxe estándar e forte
Bolsa de polietileno + caixa + cartón + palés
Porto:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Prazo de entrega:
Cantidade (unidades) | 1-1000 | > 1000 |
Est. Tempo (días) | 30 | Para ser negociado |