Descrición
OSusceptores de obleas de carburo de silicio (SiC).para MOCVD de semicera están deseñados para procesos epitaxiais avanzados, ofrecendo un rendemento superior para ambosSi epitaxiaeEpitaxia SiCaplicacións. O enfoque innovador de Semicera garante que estes susceptores sexan duradeiros e eficientes, proporcionando estabilidade e precisión para as operacións de fabricación críticas.
Deseñado para soportar as complexas necesidades deSusceptor MOCVDsistemas, estes produtos son versátiles, compatibles con operadores como PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier. A súa flexibilidade fainos axeitados para industrias de alta tecnoloxía, incluídas as que traballanLED EpitaxialSusceptor e silicio monocristalino.
Con múltiples configuracións, incluíndo Barrel Susceptor e Pancake Susceptor, estes susceptores de obleas tamén son esenciais no sector fotovoltaico, apoiando a fabricación de pezas fotovoltaicas. Para os fabricantes de semicondutores, a capacidade de manexar GaN en procesos de epitaxia SiC fai que estes susceptores sexan moi valiosos para garantir unha saída de alta calidade nunha ampla gama de aplicacións.
Características principais
1 .Grafito revestido de SiC de alta pureza
2. Resistencia á calor superior e uniformidade térmica
3. BenRevestimento de cristal SiCpara unha superficie lisa
4. Alta durabilidade fronte á limpeza química
Especificacións principais dos revestimentos CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densidade | (g/cc) | 3.21 |
| Resistencia á flexión | (Mpa) | 470 |
| Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Embalaxe e envío
Capacidade de subministración:
10000 unidades/unidades por mes
Embalaxe e entrega:
Embalaxe: embalaxe estándar e forte
Bolsa de polietileno + caixa + cartón + palés
Porto:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Prazo de entrega:
| Cantidade (unidades) | 1-1000 | > 1000 |
| Est. Tempo (días) | 30 | Para ser negociado |
