O material de cristal único de carburo de silicio (SiC) ten un ancho de banda grande (~ Si 3 veces), alta condutividade térmica (~ Si 3,3 veces ou GaAs 10 veces), alta taxa de migración de saturación de electróns (~ Si 2,5 veces), alta ruptura eléctrica. campo (~Si 10 veces ou GaAs 5 veces) e outras características destacadas.
Os materiais semicondutores de terceira xeración inclúen principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque o seu ancho de banda lavada (Eg) é maior ou igual a 2,3 electróns voltios (eV), tamén coñecidos como materiais semicondutores de banda ancha. En comparación cos materiais semicondutores de primeira e segunda xeración, os materiais semicondutores de terceira xeración teñen as vantaxes dunha alta condutividade térmica, un alto campo eléctrico de ruptura, unha alta taxa de migración de electróns saturados e unha alta enerxía de enlace, que poden satisfacer os novos requisitos da tecnoloxía electrónica moderna para altas velocidades. temperatura, alta potencia, alta presión, alta frecuencia e resistencia á radiación e outras condicións duras. Ten importantes perspectivas de aplicación nos campos da defensa nacional, aviación, aeroespacial, exploración de petróleo, almacenamento óptico, etc., e pode reducir a perda de enerxía en máis do 50% en moitas industrias estratéxicas como as comunicacións de banda ancha, a enerxía solar, a fabricación de automóbiles, etc. a iluminación de semicondutores e a rede intelixente, podendo reducir o volume dos equipos en máis do 75%, o que ten unha importancia histórica para o desenvolvemento da ciencia e tecnoloxía humana.
A enerxía Semicera pode proporcionar aos clientes un substrato de carburo de silicio condutor (condutor), semiillante (semiillante), HPSI (semiillante de alta pureza); Ademais, podemos proporcionar aos clientes follas epitaxiais de carburo de silicio homoxéneas e heteroxéneas; Tamén podemos personalizar a folla epitaxial segundo as necesidades específicas dos clientes e non hai cantidade mínima de pedido.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
