A oblea de SiC tipo N de 6 polgadas de Semicera sitúase á vangarda da tecnoloxía de semicondutores. Deseñada para un rendemento óptimo, esta oblea destaca en aplicacións de alta potencia, alta frecuencia e alta temperatura, esenciais para dispositivos electrónicos avanzados.
A nosa oblea de SiC tipo N de 6 polgadas presenta unha alta mobilidade de electróns e unha baixa resistencia, que son parámetros críticos para dispositivos de potencia como MOSFET, díodos e outros compoñentes. Estas propiedades garanten unha conversión de enerxía eficiente e unha reducida xeración de calor, mellorando o rendemento e a vida útil dos sistemas electrónicos.
Os rigorosos procesos de control de calidade de Semicera garanten que cada oblea de SiC manteña unha excelente planitude superficial e defectos mínimos. Esta atención meticulosa aos detalles garante que as nosas obleas cumpran os estritos requisitos de industrias como a automoción, a aeroespacial e as telecomunicacións.
Ademais das súas propiedades eléctricas superiores, a oblea de SiC tipo N ofrece unha robusta estabilidade térmica e resistencia a altas temperaturas, polo que é ideal para ambientes onde os materiais convencionais poden fallar. Esta capacidade é particularmente valiosa en aplicacións que impliquen operacións de alta frecuencia e alta potencia.
Ao escoller a oblea de SiC tipo N de 6 polgadas de Semicera, está a investir nun produto que representa o cumio da innovación de semicondutores. Comprometémonos a proporcionar os elementos básicos para os dispositivos de vangarda, garantindo que os nosos socios de diversas industrias teñan acceso aos mellores materiais para os seus avances tecnolóxicos.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
